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Infineon Technologies 
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IPG20N06S2L50AATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 55 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 50 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 13 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 51 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TDSON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 10 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3 ns |
| Series： | IPG20N06 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 15 ns |
| Part # Aliases： | SP001023842 |
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