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IPD50N06S3-07的详细信息
| 制造商： | Infineon |
|---|---|
| 产品种类： | MOSFET 功率 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Single |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）： | 0.0069 Ohm @ 10 V |
| 汲极/源极击穿电压： | 55 V |
| 闸/源击穿电压： | +/- 20 V |
| 漏极连续电流： | 50 A |
| 功率耗散： | 136000 mW |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252 |
| 封装： | Reel |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 零件号别名： | IPD50N06S307XT |
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