 |
Infineon Technologies 
IPB90N06S4L-04的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 16 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 90 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.4 mOhms |
| Qg - Gate Charge： | 133 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 150 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 20 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 6 ns |
| Series： | IPB90N06 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 140 ns |
| Part # Aliases： | IPB90N06S4L04ATMA1 SP000415574 |
扫码手机查看更方便
同类器件
