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Infineon Technologies 
IPB80N06S3-05的详细信息
| Datasheets： | |
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| IPB(I,P)80N06S3-05： | |
| Product Photos： | |
| TO-263： | |
| PCN Obsolescence/ EOL： | |
| Multiple Devices 22/Jul/2010： | |
| Standard Package ： | 1,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | OptiMOS™ |
| Packaging ： | Tape & Reel (TR) |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 80A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 5.1 mOhm @ 63A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4V @ 110µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 10760pF @ 25V |
| Power - Max： | 165W |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package： | PG-TO263-3 |
| Other Names： | SP000102222 |
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