Infineon Technologies 
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IPB65R660CFD的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 660 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 4 V |
| Qg - Gate Charge： | 22 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 63 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 10 ns |
| Rise Time： | 8 ns |
| Series： | IPB65R660 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Tradename： | CoolMOS |
| Part # Aliases： | IPB65R660CFDATMA1 SP000861698 |
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