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Infineon Technologies 
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IPB60R099C6的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 37.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 99 mOhms |
| Qg - Gate Charge： | 119 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 278 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 6 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 12 ns |
| Series： | IPB60R099 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Tradename： | CoolMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 75 ns |
| Part # Aliases： | IPB60R099C6ATMA1 SP000687468 |
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