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Infineon Technologies 
IPB107N20NAATMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 53 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 9.9 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 65 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 300 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Ciss - Input Capacitance： | 5340 pF |
| Fall Time： | 11 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 26 ns |
| Technology Type： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 41 ns |
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