 |
Infineon Technologies 
IPB08CN10N G的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| IPx08CN10N G： | |
| Product Photos： | |
| TO-263： | |
| PCN Obsolescence/ EOL： | |
| Multiple Devices 11/Dec/2009： | |
| Standard Package ： | 1,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | OptiMOS™ |
| Packaging ： | Tape & Reel (TR) |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 95A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 8.2 mOhm @ 95A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 6660pF @ 50V |
| Power - Max： | 167W |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package： | PG-TO263-3 |
| Other Names： | SP000096448 |
扫码手机查看更方便
同类器件
