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| 型号： | IPB023N06N3 G |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet optimos3 pwrtrnsistr N-CH |
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Datasheet下载地址
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IPB023N06N3 G的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 140 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 2.3 mOhms |
| Configuration： | Single Quint Source |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 214 W |
| Package / Case： | TO-263-7 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 23 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 90 ns |
| Series： | IPB023N06 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 62 ns |
| Part # Aliases： | IPB023N06N3GATMA1 |
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