 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
IGW50N60H3的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Transistors |
| RoHS： | Yes |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 1.85 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 50 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 100 nA |
| Power Dissipation： | 333 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | TO-247 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Series： | IGW50N60 |
| Factory Pack Quantity： | 240 |
| Part # Aliases： | IGW50N60H3FKSA1 SP000702548 |
扫码手机查看更方便
同类器件
