厂商Toshiba Semiconductor and Storage 半导体晶体管(BJT) - 阵列 HN1A01FE-Y,LF 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	HN1A01FE-Y,LF
厂商：	Toshiba Semiconductor and Storage
标准：
分类：	半导体，晶体管(BJT) - 阵列
描述：	tran dual pnp 50v 0.15a es6
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HN1A01FE-Y,LF的详细信息

Datasheets：
HN1A01FE：
Product Photos：
SOT-563：
Standard Package ：	4,000
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	Transistors (BJT) - Arrays
Series：	-
Packaging ：	Tape & Reel (TR)
Transistor Type：	2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)：	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：	300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)：	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：	120 @ 2mA, 6V
Power - Max：	100mW
Frequency - Transition：	80MHz
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package：	ES6
Other Names：	HN1A01FE-YLFTR

HN1A01FE-Y,LF