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FSEZ1216BNY的详细信息
制造商: | Fairchild Semiconductor |
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产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | 是 |
配置: | Single |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 9.3 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 600 V |
漏极连续电流: | 1 A |
功率耗散: | 800 mW |
最大工作温度: | + 105 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | DIP-8 |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 40 C |
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