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| 型号： | FDP100N10 |
| 厂商： |
 Fairchild Semiconductor |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet 100v N-channel powertrench |
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FDP100N10的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 10 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Maximum Operating Temperature： | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation： | 208 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 115 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 265 ns |
| Series： | FDP100N10 |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 125 ns |
| Unit Weight： | 1.800 g |
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