 |
Fairchild Semiconductor 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
FDP036N10A的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 176 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 3.6 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 89 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 227 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-220-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Forward Transconductance - Min： | 167 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Series： | FDP036N10A |
| Factory Pack Quantity： | 50 |
| Unit Weight： | 1.800 g |
FDP036N10A相关文档
扫码手机查看更方便
同类器件
