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Fairchild Semiconductor 
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FDD850N10LD的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 15.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 75 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Qg - Gate Charge： | 22.2 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 42 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 8 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 31 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 21 ns |
| Series： | FDD850N10L |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 27 ns |
| Unit Weight： | 260.370 mg |
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