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Fairchild Semiconductor 
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FDD4N60NZ的详细信息
| Manufacturer： | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1.7 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.9 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 5 V |
| Qg - Gate Charge： | 8.3 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 114 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DPAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Fairchild Semiconductor |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 12.8 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 3.4 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 15.1 ns |
| Series： | FDD4N60NZ |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 30.2 ns |
| Unit Weight： | 260.370 mg |
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