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EPC8010ENGR的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| EPC8010： | |
| Product Photos： | |
| TRANS GAN BUMPED DIE： | |
| Standard Package ： | 10 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | eGaN® |
| Packaging ： | * |
| FET Type： | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 3.4A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 0.354nC @ 50V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 47pF @ 50V |
| Power - Max： | - |
| Mounting Type： | * |
| Package / Case： | - |
| Supplier Device Package： | * |
| Dynamic Catalog： | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names： | 917-EPC8010ENGREPC8010ENGJ |
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