厂商EPC 半导体 FET - 单 EPC2015 数据手册，datasheet pdf下载

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EPC2015的详细信息

Datasheets：
EPC2015：
Product Photos：
EPC2015：
Mfg Application Notes：
Second Generation eGaN®：
FETs：
Assembling eGaN®：
FETS：
Using eGaN®：
FETs：
Product Training Modules：
eGaN FET Reliability：
Second Gen Lead Free eGaN FETs Overview：
Paralleling eGaN® FETs：
Driving eGaN FETs with LM5113：
Video File：
EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment \| DigiKey：
RoHS Information：
Lead Free/RoHS Statement：
Featured Product：
eGaN™ FETs ：
Demo Board EPC9101：
Reference Design Library：
EPC9107：	3.3V @ 15A, 9 ~ 28V in
PCN Design/Specification：
EPC20xx Material 10/Apr/2013：
PCN Assembly/Origin：
EPC2yyy Family Process Change 12/Dec/2013：
Standard Package ：	1
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	FETs - Single
Series：	eGaN®
Packaging ：	Cut Tape (CT)
FET Type：	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
FET Feature：	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)：	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：	33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：	4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id：	2.5V @ 9mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs：	10.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：	1100pF @ 20V
Power - Max：	-
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	Die Outline (11-Solder Bar)
Supplier Device Package：	Die Outline (11-Solder Bar)
Dynamic Catalog：	N-Channel Logic Level Gate FETs
Kits：	917-1010-ND - BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
For Use With：	917-1067-ND - BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
Other Names：	917-1019-1

EPC2015