厂商EPC 半导体 FET - 单 EPC1011 数据手册，datasheet pdf下载

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EPC1011的详细信息

Datasheets：
EPC1011：
Product Photos：
EPC1010：
Mfg Application Notes：
Thermal Performance of eGaN®：
FETs：
Assembling eGaN®：
FETS：
Using eGaN®：
FETs：
Video File：
EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment \| DigiKey：
RoHS Information：
Lead Free/RoHS Statement：
PCN Obsolescence/ EOL：
EPC1yyy Series 09/Sept/2011：
Standard Package ：	1
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	FETs - Single
Series：	eGaN®
Packaging ：	Cut Tape (CT)
FET Type：	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride
FET Feature：	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)：	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：	12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：	25 mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id：	2.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs：	6.7nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：	440pF @ 75V
Power - Max：	-
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	Die
Supplier Device Package：	Die
Other Names：	917-1005-1

EPC1011