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Diodes Incorporated 
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DMG6602SVT-7的详细信息
| Manufacturer： | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N and P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V, 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 3.4 A, 2.8 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 100 mOhms, 140 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Qg - Gate Charge： | 9 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 840 mW |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSOT-26-6 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Diodes Incorporated |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 4 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 5 ns |
| Series： | DMG6602S |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 13 ns |
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