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Texas Instruments 
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CSD87588N的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 16 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 10.4 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.1 V to 1.9 V |
| Qg - Gate Charge： | 2.8 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 125 C |
| Pd - Power Dissipation： | 6 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | PTAB-5 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Texas Instruments |
| Fall Time： | 6.3 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 93 S |
| Rise Time： | 36.7 ns |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 20.1 ns |
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