 |
Texas Instruments 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
CSD25213W10的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | P-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 6 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 1.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 47 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | - 0.85 V |
| Qg - Gate Charge： | 2.2 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | DSBGA-4 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Texas Instruments |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 970 ns |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 520 ns |
| Series： | CSD25213W10 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 1 us |
CSD25213W10相关文档
- Function Diagram: alt_slps443
扫码手机查看更方便
同类器件
