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Texas Instruments 
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CSD17310Q5A的详细信息
| Manufacturer： | Texas Instruments |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Texas Instruments |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 10 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 100 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 4.5 mOhms |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.3 V |
| Qg - Gate Charge： | 8.9 nC |
| Pd - Power Dissipation： | 3.1 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | VSON-8 FET |
| Packaging： | Reel |
| Forward Transconductance - Min： | 85 S |
| Series： | CSD17310Q5A |
| Factory Pack Quantity： | 2500 |
| Tradename： | NexFET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 15 ns |
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