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Cree Inc 
C2M0280120D的详细信息
| Manufacturer： | Cree, Inc. |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 1200 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 10 V to + 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 10 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 280 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2.8 V |
| Qg - Gate Charge： | 5.6 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 62.5 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Cree, Inc. |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Ciss - Input Capacitance： | 259 pF |
| Fall Time： | 9.9 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 2.8 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 7.6 ns |
| Tradename： | Z-FET |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 10.8 ns |
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