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Cree Inc 
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C2M0080120D的详细信息
| Manufacturer： | Cree, Inc. |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | - 5 V, + 25 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 31.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 80 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3.1 V |
| Qg - Gate Charge： | 94 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 208 W |
| Mounting Style： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-247-3 |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | Cree, Inc. |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 21 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 3.9 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 34 ns |
| Factory Pack Quantity： | 30 |
| Technology Type： | - |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 23.2 ns |
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