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NXP Semiconductors 
BUK7E3R5-60E,127的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| BUK7E3R5-60E： | |
| Product Photos： | |
| I2PAK SOT226： | |
| Standard Package ： | 50 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | TrenchMOS™ |
| Packaging ： | Tube |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 120A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 114nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 8920pF @ 25V |
| Power - Max： | 293W |
| Mounting Type： | Through Hole |
| Package / Case： | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package： | I2PAK |
| Dynamic Catalog： | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names： | 568-9853-5934066632127BUK7E3R560E127 |
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