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BUK762R4-60E,118的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 4 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 2.4 mOhms |
| Pd - Power Dissipation： | 357 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | D2PAK-2 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity： | 800 |
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- Thermal model: BUK762R4-60E Thermal model (v.1.0)
- SPICE model: BUK762R4-60E Spice model (v.1.0)
- Thermal design: BUK762R4-60E Thermal model (v.1.0)
- Application note: Understanding Power MOSFET Datasheet Parameters (v.1.0)
- Selection guide: NXP's Power MOSFET Selection Guide 2012; Smaller, faster, cooler (v.2.1)
- Brochure: Advanced MOSFET technology fromthe Automotive Power experts (v.1.0)
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