Infineon Technologies 
BSZ0907NDXTMA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 25 A, 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 10.4 mOhms, 8.3 mOhms |
| Configuration： | Dual |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.6 V |
| Qg - Gate Charge： | 1.4 nC, 1.7 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.9 W, 2.3 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | WISON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Fall Time： | 2.8 ns, 2.4 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 33 S, 37 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 3.2 ns, 3.4 ns |
| Series： | BSZ0907 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 18.5 ns, 17.2 ns |
| Part # Aliases： | SP000865186 |
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