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| 型号： | BSZ076N06NS3 G |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | mosfet optimos2 pwr transistor N-CH |
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Datasheet下载地址
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BSZ076N06NS3 G的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 20 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 7.6 mOhms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Qg - Gate Charge： | 37 nC |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 69 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TDSON-8 |
| Packaging： | Reel |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 39 S, 20 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 40 ns |
| Series： | BSZ076N06 |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Tradename： | OptiMOS |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 20 ns |
| Part # Aliases： | BSZ076N06NS3GATMA1 SP000454420 |
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