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Infineon Technologies 
BSZ018NE2LSI的详细信息
| Datasheets： | |
|---|---|
| BSZ018NE2LSI： | |
| Product Photos： | |
| 8-TSDSON： | |
| Standard Package ： | 5,000 |
| Category： | Discrete Semiconductor Products |
| Family： | FETs - Single |
| Series： | OptiMOS™ |
| Packaging ： | Tape & Reel (TR) |
| FET Type： | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature： | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss)： | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： | 22A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs： | 1.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id： | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs： | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds： | 2500pF @ 12V |
| Power - Max： | 69W |
| Mounting Type： | Surface Mount |
| Package / Case： | 8-PowerTDFN |
| Supplier Device Package： | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
| Dynamic Catalog： | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Other Names： | BSZ018NE2LSI-NDBSZ018NE2LSIATMA1SP000906032 |
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