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Infineon Technologies 
BSP300H6327XUSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 190 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 15 Ohms |
| Configuration： | Single |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 3 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation： | 1.8 W |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-223-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Channel Mode： | Enhancement |
| Fall Time： | 21 ns |
| Forward Transconductance - Min： | 0.06 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Rise Time： | 16 ns |
| Series： | BSP300 |
| Factory Pack Quantity： | 1000 |
| Typical Turn-Off Delay Time： | 27 ns |
| Part # Aliases： | SP001058720 |
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