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Infineon Technologies 
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BSM75GAL120DN2的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | IGBT Modules |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Product： | IGBT Silicon Modules |
| Configuration： | Half Bridge Module |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 1200 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C： | 105 A |
| Gate-Emitter Leakage Current： | 400 nA |
| Power Dissipation： | 625 W |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Package / Case： | Half Bridge GAL 1 |
| Maximum Gate Emitter Voltage： | 20 V |
| Mounting Style： | Screw |
| Factory Pack Quantity： | 500 |
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