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| 型号： | BPW16N |
| 厂商： |
Vishay Semiconductors |
| 标准： |  |
| 分类： | 光电子 ， 光学探测器和传感器 |
| 描述： | phototransistors npn phototransistor 32v 100mw 825nm |
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BPW16N的详细信息
| Manufacturer： | Vishay |
|---|---|
| Product Category： | Phototransistors |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Vishay Semiconductors |
| Maximum Power Dissipation： | 100 mW |
| Maximum On-State Collector Current： | 50 mA |
| Maximum Dark Current： | 200 nA |
| Package / Case： | T-3/4 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 32 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage： | 32 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 0.3 V |
| Maximum Collector Current： | 50 mA |
| Maximum Operating Temperature： | + 100 C |
| Minimum Operating Temperature： | - 40 C |
| Packaging： | Bulk |
| Product： | Phototransistors |
| Factory Pack Quantity： | 5000 |
| Type： | Chip |
| Wavelength： | 825 nm |
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