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| 型号： | BLF7G21LS-160,112 |
| 厂商： |
 NXP Semiconductors |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF mosfet pwr ldmos transistor transistor |
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BLF7G21LS-160,112的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Frequency： | 1.8 GHz to 2.05 GHz |
| Gain： | 18 dB |
| Output Power： | 50 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 65 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 32.5 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 13 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-1121B |
| Packaging： | Tube |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Factory Pack Quantity： | 20 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.9 V |
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- Application note: Mounting and Soldering of RF transistors (v.1.0)
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- Mounting and soldering: Fatigue in aluminum bond wires (v.1.0)
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