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| 型号： | BLF6G20LS-110,112 |
| 厂商： |
 NXP Semiconductors |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF mosfet ldmos tns |
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BLF6G20LS-110,112的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Frequency： | 1800 MHz to 2000 MHz |
| Gain： | 19 dB |
| Output Power： | 25 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 65 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 29 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 13 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT502B-2 |
| Packaging： | Tube |
| Forward Transconductance - Min： | 10.5 S |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Product Type： | RF Power Amplifers |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 160 mOhms |
| Factory Pack Quantity： | 20 |
| Type： | Power LDMOS Transistor |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 2 V |
| Part # Aliases： | BLF6G20LS-110 |
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