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NXP Semiconductors 
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BFU725F/N1,115的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF Bipolar |
| RoHS： | Yes |
| Type： | RF Bipolar Small Signal |
| Transistor Polarity： | NPN |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 40 |
| Maximum Operating Frequency： | 55 GHz |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 2.8 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 0.55 V |
| Continuous Collector Current： | 40 mA |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Power Dissipation： | 136 mW |
| Configuration： | Single |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-343 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current： | 0.04 A |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
BFU725F/N1,115相关文档
- User manual: BFU6xx/BFU7xx Transistor Starter Kit Users Manual (v.1.0)
- Application note: BFU725F/N1 2.4 GHz LNA evaluation board (v.1.0)
- Leaflet: NXP BFU6x0F and BFU7x0F: QUBiC4 Si and SiGe:C transistors for any RF function (v.1.0)
- Application note: BFU725F/N1 1.5 GHz LNA evaluation board (v.1.1)
- User manual: BFU725F/N1 2.4 GHz to 6.0 GHz LNA demonstration board (v.1.0)
- S-parameter: S-parameter BFU725F/N1 (v.1.0)
- PCN: Customer Information Notification
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