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| 型号： | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |  |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors RF bipolar RF bip transistors |
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BFR840L3RHESDE6327XTSA1的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF Bipolar |
| RoHS： | Yes |
| Type： | RF Silicon Germanium |
| Maximum Operating Frequency： | 75 GHz |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 2.25 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 2.9 V |
| Continuous Collector Current： | 35 mA |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Power Dissipation： | 75 mW |
| Configuration： | Single |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | TSLP-3-9-3 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Series： | BFR840L3 |
| Factory Pack Quantity： | 15000 |
| Part # Aliases： | SP000978848 |
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