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NXP Semiconductors 
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BF1202,215的详细信息
| Manufacturer： | NXP |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Dual |
| Transistor Polarity： | Dual N-Channel |
| Frequency： | 1 GHz |
| Gain： | 34.5 dB |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 10 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 30 mA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 6 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-143B |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | NXP Semiconductors |
| Pd - Power Dissipation： | 200 mW |
| Product Type： | N-Channel Dual-Gate PoLo MOSFET |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Type： | Enhancement |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1 V, 1.2 V |
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