 |
Infineon Technologies 
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
BF 1005S E6327的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Single Dual Gate |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Gain： | 1 GHz |
| Output Power： | 200 mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 8 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 0.025 A |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | 3 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-143 |
| Packaging： | Reel |
| Forward Transconductance - Min： | 26 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation： | 200 mW |
| Product Type： | RF MOSFET Small Signal |
| Series： | BF1005 |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Type： | N Channel MOSFET |
| Part # Aliases： | BF1005SE6327HTSA1 SP000010949 |
扫码手机查看更方便
同类器件
