 |
| 型号： | BC 857B E6433 |
| 厂商： |
 Infineon Technologies |
| 标准： |   |
| 分类： | 半导体 ， 分离式半导体 |
| 描述： | transistors bipolar - bjt pnp silicon AF transistor |
| 报错 收藏 赞 | |
Datasheet下载地址
| 本地下载 >> 厂商下载2 >> 第三方平台下载 >> |
BC 857B E6433的详细信息
| Manufacturer： | Infineon |
|---|---|
| Product Category： | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS： | Yes |
| Brand： | Infineon Technologies |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | PNP |
| Collector- Base Voltage VCBO： | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max： | 45 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO： | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage： | 650 mV |
| Maximum DC Collector Current： | 0.1 A |
| Gain Bandwidth Product fT： | 250 MHz |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-23 |
| Continuous Collector Current： | 100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min： | 220 |
| DC Current Gain hFE Max： | 800 at 2 mA at 5 V |
| Maximum Power Dissipation： | 330 mW |
| Minimum Operating Temperature： | - 65 C |
| Packaging： | Reel |
| Series： | BC857 |
| Factory Pack Quantity： | 10000 |
| Part # Aliases： | BC857BE6433HTMA1 SP000010648 |
扫码手机查看更方便
同类器件
