厂商SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation 半导体 FET - 单 2SK536-TB-E 数据手册，datasheet pdf下载

型号：	2SK536-TB-E
厂商：	SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
标准：
分类：	半导体， FET - 单
描述：	mosfet N-CH 50v 100ma 3cp
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2SK536-TB-E的详细信息

Datasheets：
2SK536：
Product Photos：
SOT-23-3：
Catalog Drawings：
CP Package N-Channel & RF Fets, Top：
Standard Package ：	1
Category：	Discrete Semiconductor Products
Family：	FETs - Single
Series：	-
Packaging ：	Cut Tape (CT)
FET Type：	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature：	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)：	50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C：	100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs：	20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id：	-
Gate Charge (Qg) @ Vgs：	-
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：	15pF @ 10V
Power - Max：	200mW
Mounting Type：	Surface Mount
Package / Case：	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package：	3-CP
Other Names：	869-1110-1

2SK536-TB-E