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2SK2009TE85LF的详细信息
| Manufacturer： | Toshiba |
|---|---|
| Product Category： | Transistors RF MOSFET |
| RoHS： | Yes |
| Configuration： | Single |
| Transistor Polarity： | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage： | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current： | 200 mA |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage： | +/- 20 V |
| Maximum Operating Temperature： | + 150 C |
| Mounting Style： | SMD/SMT |
| Package / Case： | SOT-346 |
| Packaging： | Reel |
| Brand： | Toshiba |
| Forward Transconductance - Min： | 100 mS |
| Minimum Operating Temperature： | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation： | 200 mW |
| Product Type： | Small-signal MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance： | 1.2 Ohms |
| Factory Pack Quantity： | 3000 |
| Type： | N Channel MOSFET |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage： | 1.5 V |
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