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Image:                AD8420 AD8420 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 优势和特点 产品详情 最大电源电流:90 μA 最小共模抑制比(cmrr):100 dB 可驱动高容性负载:~700 pF 轨到轨输出 输入电压范围可低至地电压以下 通过2个外部电阻设置增益可在任何增益下实现低增益漂移 极宽电源电压范围 单电源:2.7 V至36 V 双电源:±2.7 V至±18 V 带宽(G = 100):2.5 khz 输入电压噪声:55 nV/√Hz 欲了解更多特性,请参考数据手册
Image:             AD8428 AD8428 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 固定增益为 2000 可访问内部节点提供了灵活性 低噪声:1.5 nV/√Hz 输入电压噪声 高精度直流性能 增益漂移:10 ppm/°C 失调漂移1 μV/°C 增益精度:0.2% cmrr:130 dB(最小值) 出色的交流规格 带宽:3.5 mhz 压摆率:40 V/μs 电源范围: ±4 V 至 ±18 V 8引脚soic封装 esd 保护 >5000 V (hbm) 指定性能的温度范围: −40°C 至 +85°C 工作温度高达 125°C
Image:             AD8426 AD8426 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 双通道 ,采用 4 mm × 4 mm小型lfcsp封装 lfcsp封装无金属焊盘 -- 更多走线空间 -- 无电流泄漏至焊盘 增益通过1个外部电阻设置 -- 增益范围:1至1000 输入电压可低至地电压以下 输入受到保护,可高于电源电压 极宽电源电压范围 -- 单电源:2.2 V至36 V -- 双电源:±1.35 V至±18 V 带宽(G = 1):1.5 mhz 共模抑制比(G=1):80 dB(最小值) 输入噪声:22 nV/√Hz 典型电源电流 (各放大器):350 μA 额定温度范围:−40°C至+125°C
Image:               AD8429 AD8429 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 优势和特点 产品详情 低噪声 -- 输入噪声:1 nV/√Hz -- 输出噪声:45 nV/√Hz 高精度直流性能(ad8429brz) -- cmrr:90 dB(最小值,G = 1) -- 输入失调电压:50 μV(最大值) -- 增益精度:0.02%(最大值,G = 1) 出色的交流规格 -- cmrr:80 dB(至5 khz,G = 1) -- 带宽:15 mhz (G = 1) -- 带宽:1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率:22 V/μs -- 总谐波失真(thd):130 dbc(1 khz,G = 1) 多功能 -- ±4 V至±18 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置(G = 1至10,000) 额定温度范围: −40°C至+125°C
Image:              AD8229 AD8229 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 工作温度高达210°C 低噪声 -- 输入噪声:1 nV/√Hz -- 输出噪声:45 nV/√Hz 高共模抑制比(cmrr) -- 128 dB(最小值,G = 100) -- 80 dB (最小值,5 khz,G = 1) 出色的交流规格 -- 带宽:15 mhz (G = 1) -- 带宽:1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率:22 V/μs -- 总谐波失真(thd):130 dbc(1 khz,G = 1) 多功能 -- ±4 V至±17 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置(G = 1至1000) -- 温度范围: sbdip封装:−40°C至+210°C soic封装:−40°C至+175°C 下载ad8229-kgd数据手册。 已知良好的裸片完全保证数据手册规格。
Image:               LMV324 LMV324 ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 lmv321lmv358lmv324 是带有轨对轨输出摆幅的单路、双路和四路低电压运算放大器。此类成本高效的放大器解决方案适用于低功耗和节省空间封装至关重要的应用。针对 2.7 V 和 5 V 电源电压运行提供规格表。轨对轨运行可实现优化的信噪比应用。超低静止电流使得此系列放大器适用于便携式电池供电设备。共模输入范围包括接地,使得此器件适用于低压侧电流分路测量。超小封装允许其放置在靠近信号源的 pcb 上,因此减少了噪声拾取。
Image:                LMV324_XFCS LMV324_XFCS ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 超低成本和功耗,轨对轨输出,四路运算放大器
Image:              LMV821 LMV821 ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 lmv821lmv822lmv824 是运算放大器,具有低输入电压偏移和随温度漂移特性。尽管只需低静态电流,这些器件的带宽达到 5 mhz,摆率 1.4 V/µs。此外,它们还提供 600 Ω 负载下的轨对轨输出摆幅。输入共模电压范围包括接地,最大输入偏移电压仅为 3.5 mV。只需增加一个上拉电阻或隔离电阻,便可驱动相当大的电容负载。lmv821(单)采用节省空间的 sc70-5 封装,而双路和四路版本还采用超小型 soictssop 封装。
Image:               LMV824 LMV824 ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 lmv821lmv822lmv824 是运算放大器,具有低输入电压偏移和随温度漂移特性。尽管只需低静态电流,这些器件的带宽达到 5 mhz,摆率 1.4 V/µs。此外,它们还提供 600 Ω 负载下的轨对轨输出摆幅。输入共模电压范围包括接地,最大输入偏移电压仅为 3.5 mV。只需增加一个上拉电阻或隔离电阻,便可驱动相当大的电容负载。lmv821(单)采用节省空间的 sc70-5 封装,而双路和四路版本还采用超小型 soictssop 封装。
Image:                LMV931 LMV931 ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 lmv931 单和 lmv932 双是 cmos 低压运算放大器,可使用具有轨对轨输入和输出摆幅的单侧电源(1.8 V 至 5.0 V)运行。两种器件都采用最新的小型封装,并且需要非常低的静态电流,因此非常适合电池供电的便携式应用,例如笔记本电脑和手持式仪器。轨对轨运行具有更高的信噪比性能,而小型封装允许更靠近信号源放置,从而减少了噪声拾取。单 lmv931 采用节省空间的 sc70-5 封装。双 lmv932 采用 micro8 封装。这些小型封装对于拥挤的 pcb 非常有用。通过在 lmv981 单和 lmv982 双中增加关断功能,可以进一步降低功耗。其他所有功能和性能都相同。关断可通过将 shdn 引脚驱动为低电平来实现。
Image:                LMV932 LMV932 ON Semiconductor 传感器,变送器 放大器 lmv931 单和 lmv932 双是 cmos 低压运算放大器,可使用具有轨对轨输入和输出摆幅的单侧电源(1.8 V 至 5.0 V)运行。两种器件都采用最新的小型封装,并且需要非常低的静态电流,因此非常适合电池供电的便携式应用,例如笔记本电脑和手持式仪器。轨对轨运行具有更高的信噪比性能,而小型封装允许更靠近信号源放置,从而减少了噪声拾取。单 lmv931 采用节省空间的 sc70-5 封装。双 lmv932 采用 micro8 封装。这些小型封装对于拥挤的 pcb 非常有用。通过在 lmv981 单和 lmv982 双中增加关断功能,可以进一步降低功耗。其他所有功能和性能都相同。关断可通过将 shdn 引脚驱动为低电平来实现。
Image:               AD8229 AD8229 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 优势和特点 产品详情 工作温度高达210°C 低噪声 -- 输入噪声:1 nV/√Hz -- 输出噪声:45 nV/√Hz 高共模抑制比(cmrr) -- 128 dB(最小值,G = 100) -- 80 dB (最小值,5 khz,G = 1) 出色的交流规格 -- 带宽:15 mhz (G = 1) -- 带宽:1.2 mhz (G = 100) -- 压摆率:22 V/μs -- 总谐波失真(thd):130 dbc(1 khz,G = 1) 多功能 -- ±4 V至±17 V双电源供电 -- 增益通过单个电阻设置(G = 1至1000) -- 温度范围: sbdip封装:−40°C至+210°C soic封装:−40°C至+175°C 下载ad8229-kgd数据手册。 已知良好的裸片完全保证数据手册规格。
Image:                AD8235 AD8235 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 低功耗 电源电流:40 μA(最大值) 关断电流:6 nA 低输入电流 输入偏置电流:50 pA 输入失调电流:25 pA 高共模抑制比(cmrr) cmrr110 dB (G = 100) 节省空间 wlcsp 封装 零输入交越失真 多功能 轨到轨输入和输出 关断 增益通过单个电阻设置(G = 5至200ad8236ad8235的μsoic封装版本
Image:               AD8236 AD8236 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 低功耗:40 μA最大电源电流 低输入电流 1 pA输入偏置电流 0.5 pA输入失调电流 高共模抑制比(cmrr):110 dB cmrr,G = 100 msop封装,节省空间 零输入交越失真 轨到轨输入和输出 增益通过单个电阻设置 工作电压范围:1.8 V至5.5 V
Image:               AD8227 AD8227 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 增益通过1个外部电阻设置 增益范围:5至1000 输入电压可低至地电压以下 输入受到保护,可高于电源电压 极宽电源电压范围 单电源:2.2 V至36 V 双电源:±1.5 V至±18 V 带宽(G = 5):250 khz cmrr (G = 5):100 dB(最小值,B级) 输入噪声:24 nV/√Hz 电源电流:350 μA(典型值) 额定温度范围:−40°C至+125°C 8引脚soicmsop封装
Image:              AD8226 AD8226 Analog Devices Inc 传感器,变送器 放大器 使用 1 个外部电阻器即可设置增益 增益范围:1 至 1000 输入电压低于接地电压 防止输入超出电源范围 极宽电源电压范围 单电源:2.2 V 至 36 V 双电源:±1.35 V 至 ±18 V 带宽 (G = 1):1.5 mhz cmrr (G = 1):对于 BR 型号,最小值为 90 dB 输入噪声:22 nV/√Hz 典型电源电流:350 μA 额定温度:−40°C 至 +125°C 8 引脚 soicmsop 封装使用 1 个外部电阻器即可设置增益 增益范围:1 至 1000 输入电压低于接地电压 防止输入超出电源范围 极宽电源电压范围 单电源:2.2 V 至 36 V 双电源:±1.35 V 至 ±18 V 带宽 (G = 1):1.5 mhz cmrr (G = 1):对于 BR 型号,最小值为 90 dB 输入噪声:22 nV/√Hz 典型电源电流:350 μA 额定温度:−40°C 至 +125°C 8 引脚 soicmsop 封装
Image:              IRS2092PBF IRS2092PBF Infineon Technologies 传感器,变送器 放大器 集成模拟输入 D 类放大器,采用小型 16引脚封装 浮动输入,有利于半桥结构的轻松实现 可编程双向过电流保护,带自复位功能 可编程的预设死区时间,用于提高 thd 性能 + - 100v 额定值,提供高达 500w 的输出功率 启动和停止点击噪音降低功能 高抗噪性 工作频率高达 800khz 符合 rohs 音频参考设计:iraudamp7d
Image:              IRS2452AM IRS2452AM Infineon Technologies 传感器,变送器 放大器 D 类音频IC。irs2452am 集成了2个高压高性能 D 类音频放大器驱动器通道,带 pwm 调制器和保护。结合外部mosfetirs2452am形成一个完整的双通道D类音频放大器。 优势 双通道集成逻辑输入 D 类放大器 差分或单端输入 多功能保护控制,用于激活锁定、非锁定或主机控制关断功能 可编程过流保护 可编程死区时间生成 外部热传感器输入 单击噪音降低功能 欠压保护 高抗噪性
Image:                IRS20957SPBF IRS20957SPBF Infineon Technologies 传感器,变送器 放大器 浮动 pwm 输入,有利于半桥结构的轻松实现 可编程双向过电流保护,带自复位功能 可编程的预设死区时间,用于提高 thd 性能 高抗噪性 + - 100v 额定值,提供高达 500w 的输出功率 3.3 V/ 5 V 逻辑兼容输入 工作频率高达 800khz
Image:               IR4302M IR4302M Infineon Technologies 传感器,变送器 放大器 双通道集成逻辑输入 D 类放大器,采用小型 7mm x 7 mm pqfn44 封装 无需机械散热片 高峰值音乐功率输出 分体式电源或单一电源 差分或单端输入 具有自复位功能的过电流、过温和欠压保护 启动/停止点击噪音降低功能 限幅和故障报告输出 高抗噪性 符合 rohs

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