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Image: MSM56V16161N MSM56V16161N Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。
Image: MD56V62161M MD56V62161M Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数据表
Image: MD56V72161C MD56V72161C Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数
Image: MD56V82161A MD56V82161A Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。
Image: MSM56V16161NP MSM56V16161NP Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数
Image: MD56V62161M-xxTAP MD56V62161M-xxTAP Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。
Image: MD56V72161C-xxTAP MD56V72161C-xxTAP Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。
Image: MD56V82161A-xxTAP MD56V82161A-xxTAP Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台 md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数据表
Image: MD60S1G160A-xxLAP7AL MD60S1G160A-xxLAP7AL Rohm Semiconductor 半导体 基于ARM处理器平台
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