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X-CUBE-USBPDM1 |
STMicroelectronics |
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半导体
基于ARM处理器平台
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tcpp01-m12上X-nucleo-usbPDM1 usb type-C供电sink参考设计的二进制文件 |
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MSM56V16161N |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 |
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MD56V62161M |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数据表 |
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MD56V72161C |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数 |
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MD56V82161A |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 |
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MSM56V16161NP |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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msm56v16161n是采用硅栅cmos技术制造的2组×524,288字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数 |
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MD56V62161M-xxTAP |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v62161m是采用硅栅cmos技术制造的4排1,048,576字的16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 |
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MD56V72161C-xxTAP |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v72161c是采用硅栅cmos技术制造的4组×2097152字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 |
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MD56V82161A-xxTAP |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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md56v82161a是采用硅栅cmos技术制造的4组×4,194,304字×16位同步动态ram。 该器件的工作电压为3.3V。输入和输出是lvttl兼容的。 数据表 |
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MD60S1G160A-xxLAP7AL |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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BA10324AF |
Rohm Semiconductor |
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半导体
基于ARM处理器平台
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VN7000AY |
STMicroelectronics |
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半导体
基于ARM处理器平台
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具有multisense模拟反馈的高端驱动器,用于汽车应用 |
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X-NUCLEO-AMICAM1 |
STMicroelectronics |
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半导体
基于ARM处理器平台
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基于stm32 nucleo的基于mp23abs1的模拟mems麦克风扩展板 |